浅谈我国电子技术发展30年

几十年来，微电子技术促进了传感器技术的发展。有人预计，预计在未来2014年~2017年，传统硅技术将进入成熟期。就总体发展来看，传统硅技术市场将一直延续到2047年，才趋于饱和并衰退。而就当前微电子技术仍将依循“等缩比原理”和“摩尔定律”这两条基础定律走下去，并在逼近传统硅技术极限中，不断扩展硅的跨科学横向应用和更先进应用。如MEMS(硅微机械系统)、量子、分子器件等。而上述微电子技术的两大发展方向也正是当前乃至未来20年传感器技术的主要发展方向。

早在20世纪60年代，我国就已开始涉足传感器制造业，并于1972年组建成立中国第一批压阻传感器研制生产单位，1974年，成功研制出中国第一个实用压阻式压力传感器；1978年，诞生中国第一个固态压阻加速度传感器；后又于1982年，我国成为第一个开始研究MEMS加工技术和SOI（绝缘体上硅）技术的研究。而在20世纪90年代后，硅微机械加工技术的绝对压力传感器、多晶硅压力传感器、低成本TO-8封装压力传感器等相继问世并实现大批量生产。

回顾改革开放30年来，我国不仅建立了传感技术国家重点实验室、纳（微）米国家重点实验室、国家传感技术工程等研究开发基地，且MEMS、MOEMS（伟光机电系统）等研究项目列入国家新技术发展重点等。